在2023年之前，国内外普遍都关注一个问题，那就是我国国产芯片产业链的突破进度，因为自从2019年特朗普下令对我国企业展开芯片禁令之后，全球化的芯片产业链分工模式就被彻底打破了，而后各地区都开始了芯片产业链的自主研发行动，其中，我国尤为积极，毕竟，西方在芯片领域把我国视为重点打压对象，我们只有实现技术破局才可以彻底摆脱芯片技术受制于人的局面。

　　但是，在2023年之后，不知道大家有未曾发现，我们对于芯片产业链的突破似乎并不是那么的“关注了”，而这其实并非是我们不关注了，只是因为在2023年华为麒麟芯片的回归，似乎说明我们已经打破了西方在芯片技术上的封锁行动。

　　但是，现实情况是，我们并没有破局，因为，华为麒麟芯片的回归，虽然实现了高阶芯片的自研，但是这是利用特殊方法实现了，这种方法，让芯片的制造成本变得昂贵，同时芯片良率也不及传统的代工生产模式。

　　而想要真正的完成破局，国产高阶光刻机的突破，势在必行，毕竟，只有国产高阶光刻机突破了，我们现有的芯片代工技术的优势才能凸显出来，芯片的成本才可以降下来，良率才可以提上去。

　　而在过去几年时间里，我国的长春光机、清华大学、哈工大等高校和科研机构在国产EUV光刻机技术领域都取得了非常大的进步，特别是在EUV光源技术方面，已经有了很多的选择方案。

　　同时，在3月25日，中科院正式公开宣布了一个新的喜讯，那就是中科院成功研发了突破性的固态深紫外激光，能发射出193nm的相关光，而该波长正是目前被普遍应用于DUV光刻机上，这就从另一方面代表着我国在DUV光刻机领域也有了重大突破，毕竟，光源系统是光刻机最重要的技术之一，直接决定了光刻机的精度。

　　如果，仅仅是这样还不能够说带了巨大突破，因为要知道欧美已经在DUV光刻机领域沉浸了数十年，可以说传统的DUV光源技术的相关专利都在欧美企业手中，即便是突破了，也会在技术上受制于人。

　　传统DUV光刻机依赖氟化氩（ArF）准分子激光技术，通过气体混合物在高压电场下生成193纳米光子，而中科院的技术基于固态Yb:YAG晶体放大器，通过四次谐波转换（FHG）和光学参数放大（OPA）生成两路激光（258 nm和1553 nm），再经串级硼酸锂（LBO）晶体混合为193 nm激光。

　　说得简单直白一点就是，中科院采用了完全不同于欧美体系的技术方案实现DUV光源技术的突破，这次的突破不光规避了欧美的技术专利，同时由于不依赖氟化氩准分子激光技术，所以对于稀有气体氩、氟的进口依赖，可以说这一次我们是完全打破了欧美技术封锁。

　　当然，目前该技术还只能应用于实验室阶段或者小规模试产，还没办法真正进入大规模商用，不过，这一些都会跟着时间的推进被解决。

　　从长春光机到清华大学、哈工大，再到如今的中科院，不难发现，我们在高端光刻机领域已经积累了慢慢的变多的技术，这些技术最终都将在未来实现完全的爆发，而这对于西方来说却不是很好的消息，一方面，这在某种程度上预示着多年以来西方的封锁正在完全溃败，另一方面，也是最重要的一点就是，当我国的国产高阶光刻机完全突破，那么西方在芯片领域的霸权时代将被彻底击碎，而芯片又是现代文明技术发展的基石，所以接下来西方的科技优势将彻底丧失。

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